Computerworld News Service: En ny form for ikke-volatil MRAM-hukommelse, der muligvis kan erstatte DRAM, er stille og roligt ved at finde vej til forskellige produkter.
Analytikere siger dog, at der kan gå lang tid, inden DRAM-teknologien bliver sendt på pension.
Everspin fortalte i sidste uge, at selskabets MRAM ('magnetoresistive random access memory') har fundet vej til produkter, der kræver pålidelig, hurtig, ikke-volatil hukommelse, der kan gemme data i tilfælde af strømsvigt.
MRAM har været under udvikling i årtier, og sidste år lovede Toshiba og Hynix at udvikle den nye memory-type i en grad, hvor den vil kunne erstatte DRAM og NAND flash. Men analytikere vurderer, at de høje omkostninger og den begrænsede densitet i hvert fald i begyndelsen vil begrænse MRAM til specialiserede markeder.
Sådan bruges MRAM
Everspins MRAM-produkter bliver brugt til storage og netværks-produkter fra Dell, som ledte efter hurtig, pålidelig, ikke-volatil hukommelse til at gemme data i tilfælde af strømsvigt, siger Phill LoPresti, der er administrerende direktør for Everspin.
Hukommelsen bliver desuden brugt i BMW racerbiler, kontrolcomputere til Airbus A350 og til industrielle automatiseringssystemer fra Siemens.
"Folk skal lige vænne sig til det, og der skal opbygges et økosystem omkring det, og det arbejder vi på," siger Phill LoPresti og tilføjer, at Everspin er den eneste virksomhed, der sælger MRAM-produkter.
MRAM kan erstatte visse netværks- og storageprodukter, hvor densiteten ikke betyder så meget, siger Mike Howard, der er senior ledende analytiker hos IHS iSuppli. MRAM bliver for eksempel brugt som alternativ til ikke-volatile SRAM i Dells produkter.
MRAM bliver for øjeblikket solgt i små mængder og vil sikkert først blive rigtig populært, når DRAM rammer muren, siger Mike Howard. Der er brugt mange penge på at udvikle DRAM, som desuden har en prisfordel.
MRAM virker lovende som hukommelsesteknologi, eftersom det kan nedskalere mere effektivt end DRAM og NAND flash, siger Jim Handy, der er analytiker hos Objective Analysis.
DRAM, og i høj grad også NAND flash, har en skaleringsgrænse, for i takt med at chipgeometrien mindskes, så bliver der mindre plads, og det betyder færre elektroner på et område, forklarer Jim Handy.
MRAM kan nemmere formindskes, "fordi det ikke er afhængigt af antallet af elektroner, der er fanget i et område," siger Jim Handy.
Der findes også andre typer hukommelse, som for eksempel det såkaldte 'phase-change memory' (PCM), som bliver støttet af Samsung og Micron, der kæmper om at blive afløseren til DRAM og NAND flash. Men hvis MRAM skal erstatte DRAM, så bliver det ved udgangen af dette årti, siger Jim Handy.
Har 300 kunder
Everspin har indset, at det tager tid for en ny type hukommelse at komme ind på markedet, og virksomheden sørger for i første omgang at holde fokus på enterprise-markedet. Virksomheden vil desuden promovere MRAM som hukommelsestypen til solid-state drev, siger Phill LoPresti.
"Vi får NAND til at virke bedre" ved at tilføje et ekstra cache-lag, siger han.
Virksomheden fortæller, at den har mere end 300 aktive kunder, og at den sikrede 250 designpriser for MRAM-produkter sidste år.
Oversat af Marie Dyekjær Eriksen.
