Dagens smartphones har typisk en lagerplads på et sted mellem otte og 64 gigabyte.
Men en ny type lagerteknologi kan pakker 50 gange så mange data sammen på det samme areal.
Tidligere forsøg med teknologien har været uforholdsmæssig dyre og besværlige, men nu har forskere ved Rice University demonstreret en ny måde at producere hukommelseskortene på.
Det skriver MIT Technology Review
Tætpakkede informationer
Navnet på lagerteknologien er RRAM (Resistive Random Access Memory), og der bliver ifølge MIT Technology Review udviklet på den af flere forskellige selskaber.
Problemet ved produktionen har været, at den blandt andet har krævet meget høje temperaturer at fremstille.
Den nød har folkene fra Rice University nu knækket, og de har vist, at RRAM kan produceres ved ganske almindelig stuetemperatur.
Samtidig har de nedbragt det strømforbrug, som enhederne æder fra telefonens batteri.
Lagerenhederne i tablets, telefoner og SSD-diske i pc'er er i dag baseret på flash-hukommelse eller NAND-hukommelse.
Forskellen mellem denne teknologi og RRAM er, at almindelig flash-hukommelse gemmer en bit (0 eller 1) ved hjælp af transistorer.
RRAM gemmer ved hjælp af forskelle i elektrisk modstand, og på den måde kan man mangedoble datatætheden.
En terabyte på et frimærke
RRAM benytter et såkaldt dielektrisk materiale i egenskab af siliciumdioxid, der placeres mellem to ledere.
Materialet leder ikke strøm, men når der tilføres en høj nok spænding, skifter det egenskab og begynde at lede strøm. På den måde kan det repræsentere 1 eller 0.
Rice-forskernes metode kan ligeledes skabe flere lag oven på hinanden, hvilket også er med til at forøge lagerkapaciteten.
Ifølge universitetets webside har RRAM-producenter annonceret prototyper, der kan lagre omkring en terabyte data på et areal svarende til et frimærke - eller cirka 50 gange den kapacitet, vi har i dag.
Du kan læse mere om teknologien her.
Læs også:
Vil ny generation af SD-kort udrydde harddisken?
