"Hvis jeg stopper med at svare, er det fordi min mobil er ved at løbe tør for strøm."
Den sætning kommer Samsungbrugere til at sige meget mindre fremover, hvis det kæmpe gennembrud, som IBM og Samsung har lanceret.
Gennembruddet består i, at de to techgiganter er fremkommet med et nyt design af halvledere - de små chips, der sidder i vores alle sammens smartphones, og driver værket - i fremtiden vil formå at forlænge batterilevetiden helt op til en uge.
Ved at stable halvledertransistorer lodret for at frigøre mere plads på overfladen, kan de nye transistorer nu pakkes tættere på en computerchip, og der kan dermed pakkes flere.
Flere transistorer betyder, at flere beregninger kan behandles på den samme tid.
Med den ekstra kraft kommer også fordele som mindre energispild. For den nye pakning skaber også samtidig flere kontaktpunkter for transistorerne.
Den nye form for transistor har fået navnet VTFET - Vertical Transport Field Effect Transistor, altså lodret transportfelteffekttransistor.
VTFET menes derfor at have en ydeevne dobbelt så høj som den konentienelle FinFET-transistor. Og i sin erklæring skriver IBM, at VTFET yder op til 85 procent reduktion i energiforbruget sammenliget med FinFET-designet.
Virksomhederne sagde ikke, hvornår VTFET-teknologien vil blive sat i masseproduktion.
