Hvilken RAM?

Hej!

Jeg har en HP Pavilion HPm9067sca fra 2007, som kører fint. Jeg har opgraderet til Win7x64 og SSD-harddisk, og det kører i olie.

Motherboard Specifications, IPIBL-LA (Berkeley):

http://h10025.www1.hp.com/ewfrf/wc/document?docname=c01077641&tmp_task=prodinfoCategory&cc=dk&dlc=da&lc=en&product=3605243#N129

Jeg har dog kun 3GB RAM (PC2-5300 ~ 667 Mhz) og da x64 som bekendt kan håndtere mere, er det oplagt at opgradere.

Så vidt jeg kan se, kan bundkortet tage 4x2 GB totalt, hvilket er helt fint.

Jeg overvejer at købe PC2-6400 ~ 800 Mhz, da prisen er den samme og så vidt jeg kan se, kan bundkortet også tage 800 Mhz.

Mine spørgsmål er:

Kan jeg købe al PC2-6400 RAM (800 Mhz) eller skal jeg kigge på voltage (min nuværende kører 1,8v og så vidt jeg kan se kører 800 Mhz over 2v)? Finder BIOS selv ud af timing m.v.?
Hvis jeg overclocker FSB fra 1067 til 1333 Mhz (2,4Ghz core til 3,0GHz), kan jeg så få fuld udnyttelse af de 800 Mhz RAM?
Skal jeg købe CL4 eller CL5 RAM (rammen skal ikke clockes højere end 800 Mhz)?
Kan jeg nøjes med Value-RAM frem for Super, Hyper m.fl. eller er der andre fordele (low latency m.v.)?
Andre ting at tage hensyn til?

Detaljer fra CPU-Z nedenfor (beklager længden).

Håber nogen kan hjælpe. Tak!

/Søren



Processors Information
-------------------------------------------------------------------------

Processor 1            ID = 0
    Number of cores        4 (max 4)
    Number of threads    4 (max 4)
    Name            Intel Core 2 Quad Q6600
    Codename        Kentsfield
    Specification        Intel(R) Core(TM)2 Quad CPU    Q6600  @ 2.40GHz
    Package (platform ID)    Socket 775 LGA (0x4)
    CPUID            6.F.B
    Extended CPUID        6.F
    Core Stepping        G0
    Technology        65 nm
    Core Speed        2397.0 MHz
    Multiplier x FSB    9.0 x 266.3 MHz
    Rated Bus speed        1065.3 MHz
    Stock frequency        2400 MHz
    Instructions sets    MMX, SSE, SSE2, SSE3, SSSE3, EM64T, VT-x
    L1 Data cache        4 x 32 KBytes, 8-way set associative, 64-byte line size
    L1 Instruction cache    4 x 32 KBytes, 8-way set associative, 64-byte line size
    L2 cache        2 x 4096 KBytes, 16-way set associative, 64-byte line size
    FID/VID Control        yes
    FID range        6.0x - 9.0x
    Max VID            1.225 V


Chipset
-------------------------------------------------------------------------

Northbridge            Intel P35/G33/G31 rev. A2
Southbridge            Intel 82801IR (ICH9R) rev. 02
Graphic Interface        PCI-Express
PCI-E Link Width        x16
PCI-E Max Link Width        x16
Memory Type            DDR2
Memory Size            3072 MBytes
Channels            Dual, (Symmetric)
Memory Frequency        332.9 MHz (4:5)
CAS# latency (CL)        5.0
RAS# to CAS# delay (tRCD)    5
RAS# Precharge (tRP)        5
Cycle Time (tRAS)        15
Row Refresh Cycle Time (tRFC)    36
Command Rate (CR)        2T
MCHBAR I/O Base address        0x0FED14000
MCHBAR I/O Size            4096

Memory SPD
-------------------------------------------------------------------------

DIMM #                1
    SMBus address        0x50
    Memory type        DDR2
    Module format        Regular UDIMM
    Manufacturer (ID)    Hyundai Electronics (AD00000000000000)
    Size            512 MBytes
    Max bandwidth        PC2-5300 (333 MHz)
    Part number        HYMP564U64CP8-Y5 
    Serial number        0000201F
    Manufacturing date    Week 26/Year 07
    Number of banks        1
    Data width        64 bits
    Correction        None
    Nominal Voltage        1.80 Volts
    EPP            no
    XMP            no
JEDEC timings table        CL-tRCD-tRP-tRAS-tRC @ frequency
    JEDEC #1        3.0-3-3-9-12 @ 200 MHz
    JEDEC #2        4.0-4-4-12-16 @ 266 MHz
    JEDEC #3        5.0-5-5-15-20 @ 333 MHz

DIMM #                2
    SMBus address        0x51
    Memory type        DDR2
    Module format        Regular UDIMM
    Manufacturer (ID)    Samsung (CE00000000000000)
    Size            1024 MBytes
    Max bandwidth        PC2-5300 (333 MHz)
    Part number        M3 78T2953EZ3-CE6
    Serial number        820D3196
    Manufacturing date    Week 39/Year 07
    Number of banks        2
    Data width        64 bits
    Correction        None
    Nominal Voltage        1.80 Volts
    EPP            no
    XMP            no
JEDEC timings table        CL-tRCD-tRP-tRAS-tRC @ frequency
    JEDEC #1        3.0-3-3-9-12 @ 200 MHz
    JEDEC #2        4.0-4-4-12-16 @ 266 MHz
    JEDEC #3        5.0-5-5-15-20 @ 333 MHz

DIMM #                3
    SMBus address        0x52
    Memory type        DDR2
    Module format        Regular UDIMM
    Manufacturer (ID)    Hyundai Electronics (AD00000000000000)
    Size            512 MBytes
    Max bandwidth        PC2-5300 (333 MHz)
    Part number        HYMP564U64CP8-Y5 
    Serial number        0000401F
    Manufacturing date    Week 26/Year 07
    Number of banks        1
    Data width        64 bits
    Correction        None
    Nominal Voltage        1.80 Volts
    EPP            no
    XMP            no
JEDEC timings table        CL-tRCD-tRP-tRAS-tRC @ frequency
    JEDEC #1        3.0-3-3-9-12 @ 200 MHz
    JEDEC #2        4.0-4-4-12-16 @ 266 MHz
    JEDEC #3        5.0-5-5-15-20 @ 333 MHz

DIMM #                4
    SMBus address        0x53
    Memory type        DDR2
    Module format        Regular UDIMM
    Manufacturer (ID)    Samsung (CE00000000000000)
    Size            1024 MBytes
    Max bandwidth        PC2-5300 (333 MHz)
    Part number        M3 78T2953EZ3-CE6
    Serial number        820D3354
    Manufacturing date    Week 39/Year 07
    Number of banks        2
    Data width        64 bits
    Correction        None
    Nominal Voltage        1.80 Volts
    EPP            no
    XMP            no
JEDEC timings table        CL-tRCD-tRP-tRAS-tRC @ frequency
    JEDEC #1        3.0-3-3-9-12 @ 200 MHz
    JEDEC #2        4.0-4-4-12-16 @ 266 MHz
    JEDEC #3        5.0-5-5-15-20 @ 333 MHz