Computerworld News Service: Samsung fortæller, at den nye GM45-series mobil-chip forventes at kunne nedsætte strømforbruget med 30 procent i forhold til den nuværende 50 nanometer-procesteknologi.
Den nye 1Gbit DDR2 komponent og det tilhørende 1GB, 800Mbit/sek. DDR2 inline hukommelsesmodul er blevet godkendt af Intels platform-valideringsprogram til brug sammen med Intels GM45-serie Express mobil chip-sæt.
Intels GM45 Express-chipsæt vil først og fremmest skulle bruges i bærbare computere. Samsung forventer, at overgangen til 40 nanometer proces-teknologien vil accelerere 'time-to-market'-tiden fra to til et år.
I sidste uge bekendtgjorde Samsung, at selskabets DDR3 DRAM chip-teknologi nu var kommet op på 50 nanometer proces-niveauet.
Samsung har planer om at bruge dets 40 nanometer-klasse teknologi til også at udvikle en 2Gbit DDR3 enhed, som forventes at kunne komme i produktion i slutningen af 2009.
"Dette giver helt sikkert Samsung et voldsomt forspring i forhold til produktionsfaciliteter," siger Bob Merritt, der er medstifter af analysefirmaet Convergent Semiconductors LLC.
Bob Merritt fortæller desuden, at Samsungs nyeste udvikling måske betyder, at DRAM-priserne vil falde yderligere - hvilket ikke er positivt for en industri, der allerede nu kæmper med overproduktion.
Oversat af Marie Dyekjær Eriksen
