Et forskerhold fra Southhampton University har fundet en metode til forbedring af den nuværende fremstillingsmetode for transistorer i chips til mobiltelefoner. Det skriver New Scientist.
Forskerne har således konstrueret en transistor af typen BJT, som kan tænde og slukke med en frekvens på 110 gigahertz.
Det er mere end dobbelt så hurtigt som den tidligere rekord for transistorer af denne type.
Forbedringen er gjort mulig ved at tilføje grundstoffet fluor til et isolerende siliciumlag, der er forstærket med boratomer.
Normalt spredes boratomerne med for stor afstand til at fungere effektivt, når isolationslaget gøres tyndere, men ved at tilsætte fluor under fremstillingen, kan denne effekt modvirkes.
Hidtil har forholdsvis dyre metoder, der har involveret materialer som germanium, været det bedste bud på at forbedre transistorerne.
- Vi forestiller os, at denne metode kan give os en vej udenom de meget dyre silicium-germanium-metoder, siger leder af forskergruppen Peter Ashburn til New Scientist.
Relevant link
