AMD og IBM, som samarbejder om udvikling af nye produktionsteknikker til kommende chipgenerationer, har fundet to nye måder at forbedre chippene, så de bruger mindre strøm og får bedre ydelse.
Teknikkerne bygger på princippet om "strained silicon", som dækker over måder at strække eller komprimere den silicium, som chippenes transistorer fremstilles af.
De to teknikker bliver nu en del af IBM og AMD's respektive fremstillingsmetoder til produktion af chips på 65 nanometer-skalaen.
Hidtil har chipproducenter primært kunne slippe af sted med at skalere tidligere generationer af chips ned, når udstyret blev forfinet.
Nu nærmer skalaen sig imidlertid et niveau, hvor ren nedskalering giver problemer især i form af strømtab og efterfølgende varmeudvikling.
Strained silicon kan imidlertid skubbe grænsen yderligere ved at give transistorerne en anden form med det samme antal atomer.
Således vil de to firmaers nye chips få visse transistorer, der er strukket, og andre, der er presset sammen. Det giver bedre ydelse for henholdsvis de negative og de positive transistorer.
Problemet med denne teknik har hidtil været at få lagt strukne og pressede transistorer side om side på chippen, men det har de to firmaer tidligere løst og nu forbedret med to nye metoder.
Den første gør det muligt at strække en transistor ved hjælp af en kemisk film. I modsætning til tidligere teknikker kan denne film imidlertid fjernes, mens transistoren forbliver strukket.
Den anden teknik involverer forbedring af de positive transistorer ved hjælp af silicium-germanium, som det hidtil har været vanskeligt at anvende i massefremstilling.
AMD og IBM har arbejdet sammen om udvikling af nye produktionsmetoder i en årrække og forlængede fornylig samarbejdet frem til chip på 22 nanometer-skalaen, som ligger et godt stykke ud i fremtiden.
De to firmaers fælles konkurrent Intel har allerede påbegyndt produktion af chips på 65 nanometer-skalaen ved hjælp af strained silicon.
