Intel Developer Forum: Intel afholder for første gang sin store udviklerkonference i den kinesiske hovedstad Beijing.
Det er en klar indikation på, at chip-producenten i større udstrækning vil satse på, at udviklingen skal foregå på den nyopførte fabrik i riget i midten, der har kostet firmaet små 14 milliarder kroner at opføre.
Nu 45 nanometer
Blandt intels præsentationer på konferencen, er den nye Penryn-processor, som efter sigende vil gøre spillecomputerne op til 40 procent hurtigere end de modeller, der er bygget på dagens Intel Core 2 Extreme. Det skriver Computerworlds søsterside i Sverige.
Processoren har været kendt siden januar, men nu sætter firmaet flere specifikationer på.
Med de nye processorer går Intel fra 60 nanometer-teknologi til 45 nm og overgår samtidig til en ny transistortype kaldet "high-k metal gate".
Den anvender et nyt materiale i den centrale del af transistoren, som kontrollerer den primære afbryderfunktion.
Materialet har langt bedre elektriske egenskaber end dets forgænger og forbedrer transistorens funktion, samtidig med at transistoren nu kan blive endnu mindre, end den er i dag.
Teknologien skaber bedre isolering, hvilket beskytter mod at strømmen springer mellem transistorerne, når de er pakket tæt.
Indhug i markedet
Intel har nu planer om at gøre et større indhug i markedet med den nye produktserie, når virksomheden begynder produktionen af seks forskellige Penryn-processorer.
Det drejer sig om dual-core og quad-core desktop chips, en dual-core notebook chip, dual-core og quad-core serverchips og en high-end server chip.
Penryn chippen har også bedre energibesparelse. Den har dybere vågeblusniveauer end Core 2 duo-chips.
Takket være den nye effektivitet forventer Intel at køre de nye chips med en clockfrekvens over 3GHz for desktop og notebook-modellerne.
Det går imod tendensen, hvor producenter har fokuseret på at gå ned i clockfrekvens for at kunne tilføje flere kerne uden at chippen bliver for varm
Intel vil også bruge 50 procent mere on-chip-hukommelse i Penryn i forhold til Core 2 Duo.
Det gør dem i stand til at holde flere informationer på chippen i stedet for at bruge tid og energi på at hente informationerne fra PC'ens hovedhukommelse.
Pram i fokus
Deltagerne fik også et indblik i Intels kommende strategier for hukommelse, og det er specielt Phase-change Random Access Memory (pram), der står i fokus.
Pram kan skifte tilstand markant hurtigere end de flash-hukommelsestyper, som man benytter i dag og bruger samtidig kun halvt så meget energi på at skrive data ind i hver celle.
Den nye slags hukommelse kan på sigt tænkes at erstatte den ram, der sidder i computere. Intel vil i løbet af sommeren være klar til produktion.
Intel er dog ikke de første med teknologien, for allerede i september 2006 kunne elektronikgiganten Samsung afsløre selskabets pram, som skal udfordre flash-hukommelse i mobileenheder.
Også IBM og Hitachi arbejder med teknologien.
