En ny RAM-teknologi, som har været undervejs siden slutningen af 1990'erne, ser nu ud til at resultere i konkrete produkter mod slutningen af 2004.
- Jeg kan ikke se nogen væsentlige forhindringer for, at vores licenshavere kan kommercialisere vores teknologi, siger direktør Daniel Baker fra amerikanske NVE Corporation til EE Times.
NVE er et af de mange firmaer, som i øjeblikket arbejder på at lægge sidste hånd på det, der meget vel kan blive den næste generation af pc-hukommelse: magnetisk RAM eller MRAM.
RAM der husker
MRAM lover hastigheder, der kan måle sig med de eksisterende teknologier. Samtidig vil MRAM bruge mindre strøm og kan klare højere temperaturer uden at miste data.
En meget væsentlig fordel ved MRAM er, at data kan gemmes i hukommelsen, også når strømmen afbrydes. Dermed er det muligt at gemme eksempelvis hele styresystemet i hukommelsen.
Det vil gøre pc'en hurtigere til at starte op, fordi styresystemet ikke skal indlæses i hukommelsen under opstarten.
I forhold til flash-RAM, som eksempelvis bruges i hukommelseskort, kan læse- og skrivehastigheden ved MRAM måle sig med den DRAM-teknologi, som i dag bruges til pc-hukommelse.
16 megabit prototype
IBM og Infineon, som samarbejder om at udvikle MRAM-teknologi, kunne for nylig fremvise en prototype med en kapacitet på 16 megabit.
Prototypen er fremstillet med de samme fremstillingsmetoder, som også anvendes i halvlederindustrien, men IBM og Infineon arbejder fortsat på at gøre hukommelsescellerne mindre.
- Der er stadig meget arbejde med at reducere chippenes fysiske størrelse, før vi kan indlede en kommerciel produktion, siger teknisk direktør Wilhelm Beinvogl fra Infineon til EE Times.
Manipulation med spin
Mens traditionel pc-hukommelse udnytter elektriske ladninger og transistorer, så bygger magnetisk ram på manipulation med elektronernes spin.
På den måde minder magnetisk ram en del om en harddisk, hvor informationerne ligeledes lagres ved at få elektronerne i et område til at få et bestemt spin.
Elektronernes spin bestemmer retningen af det magnetfelt, som harddiskens læsehoved opfanger.
På samme måde er det elektronernes spin og dermed magnetfeltet, som lagrer de enkelte bit i MRAM-chippen.
Udover NVE, Infineon og IBM arbejder Motorola, Samsung, Toshiba, Sharp og en række andre firmaer på at udvikle MRAM.
