Chipgiganten Intel har indledt et samarbejde med STMicroelectronics om et fælles design for flash-hukommelse til mobiltelefoner.
Samarbejdet har allerede resulteret i fælles design for NOR-flash-hukommelse fremstillet med 90 nanometer-teknologi.
Nu udvides det til at omfatte de næste to teknologi-skridt på 65 og 45 nanometer, oplyser de to selskaber.
Omfatter hele pakken
Det fælles design omfatter hele "pakken", altså også de snitflader, som producenterne af mobiltelefoner skal bruge for at bygge kredsløb omkring hukommelsen.
- Vi mener, at det her er den letteste måde for mobilproducenterne at sænke omkostningerne til flash-hukommelse, siger Guiseppe Crisenza, direktør for STMicros gruppe af hukommelsesprodukter.
De to selskaber vil desuden forsøge at overbevise producenterne om, at det fælles design giver chips, der kræver mindre strøm og dermed giver længere batteritid i telefonerne.
Den umiddelbare gevinst for producenterne vil ifølge de to selskaber ligge i, at det fælles design betyder, at der skal bruges mindre tid på at udvikle den del af en ny telefon, hvilket vil betyde, at modellerne kan komme på markedet hurtigere.
