San Francisco: Efter flere års eksperimenter med at udvikle en faseroptisk modulator, som skal kunne flytte enorme datamængder, har Intelforskere netop præsenteret, hvad de selv betegner som et gennembrud.
Under den igangværende udviklerkonference IDF 2007 i San Francisco kunne Mario Paniccia, leder af Intels Siulicium-Photonics laboratorium fremvise en fotodetektor i neglestørrelse, som ved hjælp af lyssignal er i stand til at overføre data med en hastighed på 40 Gb/s, som markerer en rekord for Intel.
For at kunne fremstille denne chipbaserede fotodetektor med anvendelse af almindelig CMOS-teknologi er silicium-materialet påført en hinde af germanium, så det infrarøde transportsignal kan absorberes og omsættes til elektricitet.
Den nye teknologi skal erstatte optoelektriske komponenter, som indtil nu har baseret sig på langt dyrere materialer som galliumarsenid og vil ifølge Paniccia være moden for masseproduktion ved slutningen af året.
