Læs også: HP forventer revolution i hukommelses-chip
Computerworld News Service: Forskere fra Hewlett-Packard har haft et gennembrud i udviklingen af den næste generation af hukommelsesteknologien memristor, som anses af nogle for at være en mulig fremtidig erstatning for aktuel flashhukommelse såvel som for DRAM.
I en videnskabelig artikel i fagtidsskriftet Nanotechology forklarer forskerne, at de har kortlagt den grundlæggende kemi for og struktur af, hvad der sker indeni en memristor, der er i drift.
Selvom der tidligere er blevet bygget fungerende memristorer under kontrollerede forhold, vidste forskerne ikke præcist, hvad der foregik indeni de utroligt små strukturer. Så selvom HP i forvejen var sikker på at kunne kommercialisere teknologien, så vil dette fremskridt ifølge senior fellow hos HP Stan Williams gøre det muligt for virksomheden at drastisk forbedre dens ydelse.
"Vi havde en kurs, hvor vi ville finde frem til noget, der fungerede rimeligt godt, men dette fremskridt styrker vores tro på projektet og bør gøre det muligt for os at forbedre teknologien væsentligt," siger han.
Eksistensen af memristorer blev for første gang teoretisk forudsagt i 1971 af en professor ved University of California, Berkeley. Tidligere kendte videnskaben kun til tre grundlæggende kredsløbselementer; resistoren, kapacitoren og induktoren.
Indtil professor Leon Chua fremsatte teorien om, at der måtte findes en fjerde.
Årtier senere beviste forskere fra HP, at memristoren faktisk eksisterer, og derudover at man kan få den til at skifte frem og tilbage mellem to eller flere niveauer af elektrisk modstand, hvilket gør den brugbar til at repræsentere nullerne og etterne i den digitale verden.
En milliontedel af en millimeter
Forskerne vidste, at disse skift i modstand fandt sted, men fandt det vanskeligt at undersøge i detaljer, da memristorer er så utroligt små.
HP's seneste gennembrud drejer sig om at anvende skarpt fokuserede røntgenstråler til med stor præcision at skabe en kanal med en bredde på kun 100 nanometer, hvorigennem skiftet i modstand foregår. En nanometer er en milliontedel af en millimeter.
Derefter kortlagde de denne kanals kemi og struktur og fik herved en bedre forståelse af, hvordan memristorer fungerer i praksis. Den videnskabelige artikel offentliggøres i fællesskab af HP og University of California, Santa Barbara.
Den type hukommelse, der kan bygges ud af memristorer, og som kaldes ReRAM, er såkaldt nonvolatile, det vil sige, at den kan fastholde data, også når der ikke er tilsluttet strøm. Det er i modsætning til DRAM, hvor lagrede data mistes, når strømmen afbrydes.
Williams estimerer, at HP's memristor-teknologi vil blive kommercielt tilgængelig midt i 2013, men fremhæver, at "det ikke er noget officielt løfte fra HP som virksomhed."
Oversat af Thomas Bøndergaard
