Elektronikgiganten Samsung har afslørets selskabets nye hukommelsestype PRAM, som skal udfordre flash-hukommelse af typen NOR i eksempelvis mobiltelefoner.
Phase-change RAM eller PRAM er ifølge Samsung lige så hurtig som DRAM, men kan ligesom flash-hukommelse lagre informationer, efter strømmen afbrydes, hvilket DRAM ikke kan.
PRAM kan derfor erstatte en kombination af DRAM og NOR flash i mobiltelefoner.
Det er i hvert fald Samsungs håb.
Med hastigheder op til 30 gange hurtigere end flash-hukommelse vil PRAM ligesom NOR flash kunne anvendes til at bevare programmer i hukommelsen, så de hurtigt kan aktiveres.
Det er især efterspurgt i avancerede mobiltelefoner.
Skal konkurrere
Samsung vil dog skulle konkurrere med de eksisterende producenter af NOR flash, hvor især Intel og Spansion dominerer samt med DRAM, hvor Samsung selv er dominerende.
Samsung har samtidig opnået et gennembrud for selskabets NAND flash-hukommelse, hvor selskabet har produceret en 32 gigabit-chip med 40 nanometer-teknologi.
De 40 nanometer refererer til de mindste detaljer, der kan skabes med fremstillingsprocessen. 40 nanometer bringer Samsung foran Intel, der har demonsteret chip fremstillet ved 45 nanometer.
Med chippen holder Samsung samtidig fast i den fordobling af kapaciteten for NAND flash-chips hver 12. måned, som selskabet har sat som mål.
Samsung har netop udviklet en ny teknik til brug i fremstillingen, som selskabet håber vil kunne bringe selskabet frem til chip fremstillet på en 20 nanometer-skala.
