Indhold
Intel har brugt 0,065 mikron eller 65 nanometer teknologi til fremstillingen af en SRAM hukommelseschip på fire megabit. En transistorgate i chippen måler 35 nanometer, altså 35 milliardtedele meter. Til sammenligning har et menneskehår en diameter på cirka 100.000 nanometer.
Hver hukommelsescelle består af seks transistorer og måler 0,57 kvadratmikrometer. Chippen er produceret på 300 millimeter wafer med en teknologi kaldet strained silicon, som sikrer højere strømstyrker i transistorerne ved at strække det tynde lag af silicium, der udgør halvledermaterialet i transistorerne.
De kobberbaner, der forbinder transistorerne, er isolerede med et nyt dielektrika med meget lav dielektricitetskonstant, og derfor kan signalhastigheden i chippen forøges samtidig med at strømforbruget sænkes.
Det er kun en prototype, som Intel har demonstreret, og en egentlig produktion af mikrochips baseret på 65 nanometer-teknologien går først i gang i 2005.
Processorer er langt mere komplicerede end hukommelseschips, så det er ikke noget tilfælde, at den nye teknologi først benyttes til hukommelseschips.
I dag fremstilles processorer med 130 nanometer teknologi, men Intel er netop ved at skifte til 90 nanometer. Skridtet derefter hedder altså 65 nanometer, og i 2007 står den på 45 nanometer. Mindre dimensioner betyder hurtigere mikrochips, der fylder mindre og bruger mindre strøm.
