Nyhed
Amerikanske IBM og tyske Infineon har slået sig sammen om at udvikle fremtidens RAM-teknologi. Samarbejdet er foreløbigt resulteret i en prototype af en magnetisk hukommelseschip på 128 kilobit. Chippen er netop blevet præsenteret på mikrochip-konferencen VLSI Symposium, der i øjeblikket finder sted i Kyoto, Japan.
Magnetisk Random Access Memory, forkortet MRAM, er et godt bud på en teknologi, som kan afløse nutidens hukommelsestyper. Forskerne regner med, at MRAM kan begynde at erstatte de gamle teknologier i løbet af 2005.
I dag benytter computere hukommelseskredse, som kræver at blive opdateret konstant. Almindelig SDRAM sluger strøm, og hvis strømmen ryger, forsvinder data øjeblikkeligt.
I MRAM bevares informationerne, selv om der slukkes for strømmen, og det betyder lavere strømforbrug. Det er særlig vigtigt i bærbare enheder som mobiltelefoner og lommecomputere.
Endvidere giver MRAM mulighed for lynhurtig opstart af computeren, så man kan fortsætte arbejdet, hvor man slap, uden at man skal vente på at styresystem og programmer hentes fra harddisken. Man kan altså se frem til en pc, der er klar til kamp, så snart man tænder for den.
MRAM er langt hurtigere og mere kompakt end flash-hukommelse, der blandt andet anvendes i hukommelseskort. Derfor er MRAM også en oplagt afløser til denne type hukommelse.
Den MRAM-kreds, som IBM og Infineon har udviklet, er fremstillet med 0,18 mikron teknologi, og hver hukommelsescelle måler 1,4 kvadratmikrometer. Man kan læse mere om teknologien hos IBM.
