Nyhed
Mikrochip-konferencen VLSI Symposium, der fandt sted i den japanske by Kyoto, er netop overstået. Her afslørede producenterne hvilke teknologier, man vil kunne finde i fremtidens mikrochips.
Hvis chips skal blive hurtigere, skal de også mere kompakte, så de elektriske signaler ikke skal bevæge sig så langt. I øjeblikket benyttes 0,13 mikron eller 130 nanometer teknologi til fremstilling af mikrochips, og skridtet herefter hedder 90 nanometer.
Denne teknologi har man efterhånden styr på, og derfor er det først og fremmest de efterfølgende teknologier, hvor de typiske dimensioner er nede på 65 eller 45 nanometer, der diskuteres på VLSI Symposium.
Jo mindre dimensioner, des hurtigere kan transistorerne skifte mellem sine to tilstande. Problemet er bare, at strømmen i transistorerne skal have noget plads at bevæge sig på, for ellers risikerer man, at strømmen lækker fra transistorerne til underlaget med en ophobning af varme til følge. Det gælder altså om at mindske dimensionerne og samtidig sikre, at de elektriske signaler har plads til at bevæge sig og at transistorerne er isoleret bedst muligt rent elektrisk.
Amerikanske Intel er verdens suverænt største chipproducent. I de sidste par år har Intel forsket i såkaldte tri-gate transistorer, hvor de elektriske signaler får tre gange så meget plads at boltre sig på. Nu siger Intel, at teknologien vil være klar til fremstilling af 45 nanometer mikrochips i 2007.
AMD har brugt VLSI Symposium til at uddybe teknologien bag de fremtidige produktionsmetoder, som firmaet tidligere har annonceret. Her benyttes en blanding af nikkel og silicium i transistorerne, og dette materiale er bedre til at holde på strømmen end de nuværende materialer.
Toshiba fortalt også om en ny metode til at fremstille silicium-baserede mikrochips med 65 nanometer teknologi. Her benyttes materialet HfSiON, der fremstilles ved at tilføre metallet hafnium til en blanding af ilt, kvælstof og silicium, til at holde de elektriske signaler på plads. Derved sænkes strømforbruget, samtidig med at transistorerne kan pakkes tættere. Det gør teknologien særlig velegnet til bærbare enheder. Produktionen starter i 2005.
