Indhold
Der vil kunne være 50.000 SRAM-celler på spidsen af et hårstrå med IBM's nye SRAM-teknologi. Med den nye teknologi vil det være muligt at SRAM-celler, der er mindre end en 0,1 mikrometer.
Mindre SRAM-celler betyder højere RAM-kapaciteter, når IBM en gang får teknologien gjort produktionsklar.
Samtidig har IBM annonceret, at man også vil være i stand til at tredoble ydeevnen for en enkelt transistor i en chip.
Det sker ved at anvende tungmetallet Germanium til at forøge ledeevnen i de silicium-baserede transistorer.
IBM forventer, at det betyder forbedringer i ydeevnen for chips i 32 nanometer-klassen.
