Indhold
Når det gælder grundforskning inden for chipteknologi, er IBM og Intel to store konkurrenter. Der går ikke mange uger imellem annonceringer af nye teknologier, der kan gøre det muligt at fremstille hurtigere mikrochips i fremtiden.
På en japansk workshop for silicium nanoteknologi har Intel meddelt, at firmaet har udviklet en teknologi, der gør det i stand til at fremstille 20 GHz processorer med op til en milliard transistorer i 2007. Til sammenligning har den hurtigste Pentium 4 en clockfrekvens på 1,7 GHz, og den indeholder 42 millioner transistorer.
Den nære fremtids processorer vil stadig være baseret på silicium som materiale og litografi til produktionen, men frem for synligt lys skal der benyttes lys i det ekstremt ultraviolette område for at opnå de mikroskopiske dimensioner, de enkelte transistorer vil have. Hvis det står til Intel, vil processorer i 2007 blive fremstillet med 0,045 mikron teknologi, og transistorerne vil have en gate-bredde på 0,02 mikron.
På lidt kortere sigt kan IBM love chips, der er en tredjedel hurtigere end de nuværende. IBM vil strække silicium, så elektronerne får mere fart på gennem transistoren. Teknologien udnytter det faktum, at atomer gerne vil ligge ved siden af hinanden. Når et tyndt lag silicium placeres oven på et lag silicium-germanium, hvor atomerne sidder længere fra hinanden, vil silicium-laget strække sig, og det tillader elektronerne at bevæge sig op til 70 procent hurtigere. Det betyder, at hastigheden i mikrochips kan forøges med op til 35 procent. Chips med strakt silicium forventes i produktion i 2003.
En transistor i nærbillede. Det tynde lilla lag af strakt silicium er langt bedre til at lede strømmen end almindelig silicium.
