Det japanske teknologiselskab TDK er klar med sin første prototype på en helt ny hukommelses-teknologi, som selskabet mener meget vel kan komme til at afløse den meget udbredte flash-hukommelses-teknologi.
Den nye chip-teknologi bygger på MRAM ('magnetoresistive random access memory').
TDK kalder den for STT-MRAM.
Ifølge TDK er fordelen, at MRAM kan læse og skrive data lige så hurtigt som de hurtige, men flygtige, SRAM- og DRAM-teknologier og samtidig opbevare data uændret i mange år, som også flash-hukommelse er i stand.
TDK har arbejdet på teknologien i flere år, men det er første gang, at selskabet fremviser chippen.
Læser og skriver otte gange hurtigere
Det er sket på den store Ceatec-messe i Tokyo, hvor TDK har opstillet en demonstration, hvor en STT-MRAM-chip henholdsvis læser og skriver data løbende ved siden af en NOR-flash-chip, der bliver udsat for samme belastning.
Ifølge Computerworlds nyhedstjeneste kan man her se, at STT-MRAM-chippen kan læse og skrive data cirka syv gange hurtigere end flash-chippen.
Der er dog endnu ikke nogen grund til at skynde sig hjem for at kyle alle sine flash-enheder i skraldespanden, for TDK vurderer, at STT-MRAM-teknologien først vil være færdigudviklet og klar til kommerciel udrulning i stor skala om 10 år.
