AMD og IBM udvikler ny transistor-teknologi

AMD og IBM melder om et gennembrud inden for udviklingen af fremtidens processor-teknologi. De to firmaer har udviklet en ny version af strained silicon-teknologi, kaldet Dual Stress Liner, som øger transistorens hastighed med 24 procent mens strømforbrug og varmeudvikling er uforandret.

Konkurrenten Intel har ellers opgivet at skrue mere på hastigheden og satser i stedet på at indbygge flere kerner og større cache for at forbedre ydelsen. Men AMD og IBM har demonstreret, at det stadig er muligt at presse ydelsen i konventionelle processorer yderligere i vejret.

Strained silicon er et forsøg på at løse et af de største problemer i chipdesign - efterhånden som transistorerne bliver stadig mindre har de en tendens til at spilde stadig mere strøm, som frigives i form af varme, der igen kræver mere strøm til køling. Med strained silicon kan dette strømtab reduceres væsentligt.

AMD fortæller at teknologien bliver integreret i alle firmaets 90-nanometer-processorer. De første produkter med teknologien kommer i første halvdel af 2005.