Samsung gør Flash-hukommelse hurtigere

Den koreanske it-gigant Samsung fortæller nu, at man har startet masseproduktionen af den første 128-gigabit Flash-chip i 10-nanometer-klassen. Den nye chip skal bruges i hukommelseskort, USB-nøgler og SSD'er (Solid State Drives), som fremover bliver både billigere og hurtigere.

I løbet af de sidste syv år er strukturbredden i NAND Flash-chips faldet fra 72 til de 10 nanometer i Samsungs seneste produkt. De første SSD'er gemte kun 1 bit per Flash-celle, også kaldet SLC. I dag er det mere almindeligt med to eller tre bit per celle - den såkaldte Multi-Level-Cell (MLC) teknologi.

Samsungs nye 10-nanometer NAND-chip bruger 3-bit MLC, og datatætheden skulle være højere end i nogen anden Flash-chip på markedet. Samtidig melder Samsung også om en hastigheds-rekord på 400 megabit i sekundet på et DDR 2.0 interface.

Hvis man kombinerer otte af de nye chips med en flerkanal-controller, skulle det være muligt at opnå en (teoretisk) hastighed på 400 MB i sekundet.

Samsung fortæller, at man vil bruge den nye chip til at øge produktionen af hukommelseskort med 128 GB og SSD'er med en kapacitet på mere end 500 GB. I dag er en Flash-baseret SSD stadig væsentlig dyrere end en mekanisk harddisk med samme plads, men det skal ændre sig i den kommende tid.

Det forudsiges da også, at den nye chip-teknologi vil sætte skub i SSD'ens fremmarch på notebook-markedet, hvor harddisken allerede er ved at blive fortrængt.

I november sidste år startede produktionen af en 64-bit-chip i 10-nanometer-klassen hos Samsung, og nu følger så en chip med den dobbelte kapacitet. Det er også et tegn på, at 10-nm-produktionen nu kører uden problemer hos koreanerne.

Forskere advarede sidste år om, at Flash-teknologien kan løbe ind i vanskeligheder over de næste år. Efterhånden som strukturbredden bliver reduceret, og datatætheden stiger - altså med andre ord, at man kan pakke flere data ned på de små chips - stiger latenstiderne og fejlprocenten dramatisk.

Det forlyder ikke, om Samsung nu har fået styr på dette problem.