IBM melder om et nyt gennembrud inden for chip-udvikling. De nye chips har fire gange højere ydelse, men bruger 80 pct. mindre strøm end den aktuelle generation og er dermed perfekte til trådløse enheder som mobiltelefoner og pda'er.
I dag anvendes CMOS-chips (Complementary Metal Oxide Semiconductor) til databehandling, mens SiGe-Bipolar-chips (Silicium-Germanium) bruges til radiofrekvens-kommunikation og analoge funktioner.
Fremover skal SiGe-BiCMOS-chips erstatte begge typer i trådløse enheder. Det betyder at databehandlings- og kommunikations-transistorer placeres på samme chip, mens de nuværende løsninger anvender separate chips.
CMOS-computerchips arbejder optimalt, hvis de produceres på tynde Silicon-on-Insulator-wafers (SOI). Traditionelle SiGe-Bipolar-transistorer kan ikke fremstilles på sådanne SOI-wafers.
Indtil nu har det ikke været muligt at udvikle en teknik, som kombinerer begge transistor-typer på samme wafer.
IBM fortæller at det nu for første gang er lykkes at fremstille SiGe-Bipolar-transistorer på en SOI-wafer.
Virksomheden regner med at det nye chip-design kan gå i produktion inden for de næste fem år.
