Forskere arbejder på en ny hukommelses-teknologi som kombinerer fordelene fra DRAM (høj læse- og skrivehastighed) og Flash (data bevares selv uden strøm). Intel og Numonyx melder nu om et gennembrud inden for udviklingen af den såkaldte Phase Change Memory (PCM) teknologi.
For første gang har forskere udviklet en teknologi der gør det muligt at stable eller placere flere lag PCM-hukommelse på en enkelt chip. Den nye chip skal præsenteres på IEDM konferencen i december i Baltimore, men Intel har allerede nu afsløret detaljerne.
Den såkaldte Phase Change Memory and Switch indeholder flere PCM-chips stablet i lag. Numonyx bruger en speciel folie mellem de enkelte lag, der fungerer som en diode; den tillader kun strøm at passere i én retning, og der kan åbnes og lukkes for strømmen.
Numonyx lover at teknologien blandt andet skal føre til større kapacitet, lavere strømforbrug og hurtigere adgangstider. Testchippen med 64 megabit indeholder dog kun ét lag, så der er lang vej igen.
Senest om ti år skulle teknologien være klar til masseproduktion, lyder meldingen fra Intel.
