Intel og Micron har startet produktionen af de første NAND-Flash-chips med 25-nanometer-teknologi, som kan rumme tre bit per celle (Triple-Level-Cell, TLC). De nye chips er produceret af IM Flash Technologies, som er et joint-venture mellem Intel og Micron.
Flash-hukommelse bruges i alt fra hukommelseskort til SSD-lagerenheder. Typisk er der tale om SLC (Single-Level-Cell), hvor den enkelte celle kan rumme 1 bit, eller MLC (Multi-Level-Cell), hvor der er plads til 2 bit.
Men den nye teknologi giver altså mulighed for at gemme 3 bit per celle, og det betyder – kombineret med 25-nanometer-strukturbredden – at der kan gemmes betydelig flere data på det samme areal.
De nye chips er 20 pct. mindre end de hidtil mindste 64-gigabit (8 GB) chips fra Intel, som også bruger 25-nanometer-teknologi. Deres overfladeareal er blot på 131 millimeter.
Det betyder, at en enkelt 300-mm-wafer (plade) kan rumme chips med en samlet kapacitet på 4 TB.
Og konsekvensen skulle være, at TLC-hukommelse bliver meget billigere end de nuværende Flash-chips.
Men TLC har også ulemper. Normalt bliver SLC regnet for at være mere stabil og robust end MLC, og TLC skulle være endnu mere ustabil end MLC. Så det er næppe egnet til f.eks. SSD-drev.
