Sandisk og Toshiba har udviklet en ny 43-nanometer-procesteknologi til fremstilling af Flash-hukommelse. Den nye teknologi fordobler kapaciteten per chip i forhold til 56nm 16 GB-proces-teknologien, og det skal føre til billigere produkter baseret på MLC NAND-flashhukommelse.
De første 43-nanometer-chips med 16 og 32 GB kommer i andet kvartal. Produktionen starter inden for kort tid på på Toshibas Yokkaichi Operations fabrik nær Nagoya i Japan. De nye chips skal blandt andet bruges i SSD-harddiske til computere og i mobiltelefoner.
Den nye teknologi blev præsenteret i sidste uge på International Solid State Circuits-konferencen (ISSCC) i San Francisco, hvor Sandisk også kunne fortælle, at produktionen af 3 bit pr. celle (x3) Flashhukommelse starter i løbet af de næste par måneder.
Den nye 16 GB x3 Flash benytter SanDisks almindelige 56 nm-Flashteknologi og skal give 20 pct. højere udbytte per chip-wafer i forhold til chips med 2 bit per celle. Resultatet bliver billigere Flash-hukommelse.
»Vi opfatter x3 som et kolossalt kommercielt gennembrud for flashhukommelse, der vil udbrede Moores lov i denne og kommende generationer af NAND-flashhukommelse,« siger Sandisks chef for produktudvikling, Khandker N. Quader.
Den type hukommelse der anvendes i USB-nøgler, mp3-afspillere og SSD-harddiske kaldes NAND-Flash. Den findes både i single-level-cell (SLC) og multi-level-cell (MLC) udgaver. MLC har en større kapacitet, men hukommelsen er langsommere, dyrere og bruger mere strøm.
De nye teknologier skal føre til billigere MLC-hukommelse, som dermed kan fortrænge SLC, der stadig anvendes i high-end-produkter.
