Samsung har udviklet en ny type Flash-hukommelse med en strukturbredde på 40 nanometer. Den nye 32-gigabit chip er baseret på NAND Flash-teknologien og bruger den såkaldte Charge Flash Trap-arkitektur (CFP), som på længere sigt skal gøre det muligt at fremstille hukommelse med helt ned til 20 nanometer strukturbredde. CFP skal reducere støjniveauet mellem de enkelte celler på chippen.
Chippen skal bruges i små hukommelseskort til digitale kameraer, musikafspillere og andre mobile enheder. I dag har sådanne hukommelseskort typisk en kapacitet på mellem 512 MB og 4 GB, men Samsungs teknologi kan bruges til at fremstille kort med helt op til 64 GB.
Det svarer til 40 film i dvd-kvalitet, 16.000 mp3-filer eller rundt regnet det samme antal digitale billeder.
Samsung har endnu ikke afsløret hvornår de første hukommelseskort med den nye chip kommer i handlen. Men det antydes at produktionen af CompactFlash-kort med 32-gigabit chips kan starte inden længe.
På et enkelt hukommelseskort er der plads til 16 chips med hver 32 gigabit, hvilket giver en samlet maksimal kapacitet på 256 gigabit eller 64 gigabyte.
Ifølge Samsung kan Charge Flash Trap bruges til at fremstille chips med helt op til 256 gigabit. Den samlede kapacitet på et hukommelseskort med 16 chips ville så ligge på 4.096 gigabit eller 512 gigabyte.
Flash-udviklingen følger den såkaldte New Memory Growth teori, der blev fremsat af Samsungs direktør Chang Gyu Hwang i 2002. Han forudsagde dengang, at datatætheden i Flash-chips kan fordobles hver 12. måned.
Hvis man skal følge denne prognose, så kan de første 256 gigabit-chips være på markedet allerede om tre år.
Samtidig har Samsung fremvist den første prototype på en helt ny type hukommelse kaldet Phasechange RAM (PRAM), der er en slags hybrid mellem almindelig RAM og Flash-hukommelse.
Ifølge Samsung kan PRAM læses omkring 30 gange hurtigere end Flash.
Samsung forventer at PRAM skal bruges til mobiltelefoner og andre mobile enheder, men teknologien er først klar til markedet i 2008.
