Intel melder om et stort gennembrud i mikroskopiske chips. Firmaets udviklere har bygget en SRAM-celle (Static Random Access Memory) på kun én kvadratmikron - en mikron er en tusindedel millimeter. SRAM-cellen er den væsentligste byggeklods i hukommelseschips - og gennembruddet gør det muligt at øge clockfrekvenser i mikroprocessorer, samtidig med at fremstillingsomkostningerne nedbringes.
Ud fra den nye teknologi byggede udviklerne 52-megabit SRAM hukommelsechips på kun 109 kvadratmilimeter. Hver chip indeholder 330 millioner transistorer, og er i stand til at lagre 52 millioner individuelle bits af information.
Gennembruddet er blandt andet betydeligt for processorudviklingen, fordi det vil gøre det muligt at udstyre processorerne med yderligere indbygget hukommelse (on-die cache). Intel betegner selv SRAM-cellerne som en milepæl i arbejdet på at sætte 0,09-mikron teknologien i produktion i år 2003.
