Intel konstruerer tredimensionel transistor

På en konference i den japanske by Kyoto har Intel afsløret at firmaets 3D-transistordesign kaldet tri-gate snart går i produktion. Intels nye tredimensionelle transistor har et fladt plateau med vertikale sider, som tillader elektroniske signaler at bevæge sig både på toppen og siderne. Det betyder at området, hvor signalerne kan bevæge sig, nu er tredoblet.

Intel sammenligner teknologien med at bygge en tresporet vej på den samme plads man tidligere har brugt til en ensporet vej.

»Skalerbarheden, ydelsen og mulighederne for at massefremstille tri-gate transistorer er så lovende, at der er stor sandsynlighed for, at vi sætter dem i produktion allerede i 2007 på vores 45-nanometers (nm) procesteknologi,« siger Sunlin Chou, senior vice president i Intel.

På Intels chipfabrik i Hillsboro, Oregon, er de første forsøgsenheder allerede blevet fremstillet på 300-mm wafers.

Ved samme konference har Intel præsenteret vigtigt gennembrud i konstruktionen af en radiochip. Den langsigtede tekniske vision er, at et lille område på hver eneste produceret chip i fremtiden skal indeholde et silicium-baseret radiokredsløb. Det skal gøre alle slags apparater i stand til at kommunikere trådløst med hinanden.

Forskere hos Intel har konstrueret en Oscillator, som opererer ved 5GHz, der benyttes af den trådløse 802.11a standard. Den kan også sende signaler på 2,4GHz, som er den frekvens der benyttes af 802.11b og g.

Intels udviklere har også konstrueret en 10 GHz synthesizer, der kan skifte langt hurtigere mellem kanaler end eksisterende løsninger.