Forskere hos chipproducenten Intel har udviklet et nyt isoleringsmateriale, der løser en af de væsentligste barrierer for udviklingen af hurtigere chips, som bruger mindre strøm.
Efterhånden som chipproducenterne presser flere og flere transistorer ned på én chip, er størrelsen af hver enkelt transistor skrumpet. Nu er transistorerne imidlertid tæt på at være så små, som det kan lade sig gøre med de nuværende materialer.
I dag er hver enkelt transistor belagt med et lag af siliciumoxid, som fungerer som isolering. På den måde undgår man, at den elektriske ladning siver ud af transistoreren. Når ladningen forsvinder fra transistoren, er man nødt til at kompensere for tabet ved at sende mere strøm gennem processoreren, som derved også bliver varmere.
Strømtabet i transistorerne skyldes, at isoleringslaget af siliciumoxid blot har en tykkelse få atomer på grund af transistorernes ringe størrelse.
Nu hævder Intel altså at have fundet et materiale, som kan afløse siliciumoxid som isolering og samtidig gøre transistorerne endnu mindre og samtidig bruge mindre strøm og kræve mindre køling.
Intel vil endnu ikke afsløre detaljer om sammensætningen af det ny materiale, ud over at det ikke fungerer sammen med de siliciumbaserede elektroder, man i dag benytter i processorerne for at bestemme, om en enkelt transistor er tændt eller slukket. Derfor vil Intel i stedet bruge metalbasered elektroder.
Intel forventer at det nye materiale vil indgå i masseproduktionen af chips fra 2007.
