Fremtidens computer-hukommelse bruger ikke elektriske, men magnetiske ladninger til at lagre informationer. Magnetic Random Access Memory (MRAM) er en ny og meget lovende teknologi, der kan blive billigere og hurtigere end almindelige DRAM-moduler.
Der forskes bredt i den nye teknologi, men IBM og Infineon Technologies er kommet længst og har allerede produceret de første prototyper. IBM forventer dog ikke en kommerciel markedsintroduktion før i 2004.
Endnu er der mange forhindringer på vejen. Det er uklart, om det magnetiske materiale er velegnet til en normal produktionsproces. Men potentialet er enormt. MRAM kan gemme flere data, og indholdet forsvinder ikke, når der slukkes for strømmen.
IBM forventer ikke at MRAM bliver en alvorlig trussel for silicium-baserede hukommelses-teknologier før i 2009 eller 2010.
(Kilde: CNET)
